光耦作為一個隔離器件已經(jīng)得到廣泛應用，無處不在。一般大家在初次接觸到光耦時往往感到無從下手，不知設計對與錯，隨著遇到越來越多的問題，才會慢慢有所體會。
本文就三個方面對光耦做討論：光耦工作原理；光耦的 CTR 概念；光耦的延時。本討論也有認識上的局限性，但希望能幫助到初次使用光耦的同事。
理解光耦
光耦是隔離傳輸器件，原邊給定信號，副邊回路就會輸出經(jīng)過隔離的信號。對于光耦的隔離容易理解，此處不做討論。
以一個簡單的圖（圖.1）說明光耦的工作：原邊輸入信號 Vin，施加到原邊的發(fā)光二極管和 Ri 上產(chǎn)生光耦的輸入電流 If，If 驅(qū)動發(fā)光二極管，使得副邊的光敏三極管導通，回路VCC、RL 產(chǎn)生 Ic,Ic 經(jīng)過 R L 產(chǎn)生 Vout，達到傳遞信號的目的。原邊副邊直接的驅(qū)動關聯(lián)是CTR（電流傳輸比），要滿足 Ic≤If*CTR。
光耦一般會有兩個用途：線性光耦和邏輯光耦，如果理解？
工作在開關狀態(tài)的光耦副邊三極管飽和導通，管壓降<0.4V，Vout 約等于 Vcc（Vcc-0.4V左右），Vout 大小只受 Vcc 大小影響。此時 Ic<If*CTR，此工作狀態(tài)用于傳遞邏輯開關信號。
工作在線性狀態(tài)的光耦，Ic=If*CTR，副邊三極管壓降的大小等于 Vcc-Ic*R L ，Vout= Ic*R L=(Vin-1.6V)/Ri * CTR*R L ，Vout 大小直接與 Vin 成比例，一般用于反饋環(huán)路里面 (1.6V 是粗略估計，實際要按器件資料，后續(xù) 1.6V 同) 。
對于光耦開關和線性狀態(tài)可以類比為普通三極管的飽和放大兩個狀態(tài)。
所以通過分析實際的電路，除去隔離因素，用分析三極管的方法來分析光耦是一個很有效的方法。此方法對于后續(xù)分析光耦的 CTR 參數(shù)，還有延遲參數(shù)都有助于理解。
光耦CTR
概要：1)對于工作在線性狀態(tài)的光耦要根據(jù)實際情況分析；2)對于工作在開關狀態(tài)的光耦要保證光耦導通時 CTR 有一定余量；3)CTR 受多個因素影響。
2.1 光耦能否可靠導通實際計算
舉例分析，例如圖.1 中的光耦電路，假設 Ri = 1k,Ro = 1k,光耦 CTR= 50%，光耦導通時假設二極管壓降為 1.6V，副邊三極管飽和導通壓降 Vce=0.4V。輸入信號 Vi 是 5V 的方波，輸出 Vcc 是 3.3V。Vout 能得到 3.3V 的方波嗎？
我們來算算：If = (Vi-1.6V)/Ri = 3.4mA
副邊的電流限制：Ic’≤ CTR*If = 1.7mA
假設副邊要飽和導通，那么需要 Ic’= (3.3V – 0.4V)/1k = 2.9mA，大于電流通道限制，所以導通時，Ic 會被光耦限制到 1.7mA， Vout = Ro*1.7mA = 1.7V
所以副邊得到的是 1.7V 的方波。
為什么得不到 3.3V 的方波，可以理解為圖.1 光耦電路的電流驅(qū)動能力小，只能驅(qū)動1.7mA 的電流，所以光耦會增大副邊三極管的導通壓降來限制副邊的電流到 1.7mA。
解決措施：增大 If；增大 CTR；減小 Ic。對應措施為：減小 Ri 阻值；更換大 CTR 光耦；增大 Ro 阻值。
將上述參數(shù)稍加優(yōu)化，假設增大 Ri 到 200 歐姆，其他一切條件都不變，Vout 能得到 3.3V的方波嗎？
重新計算：If = (Vi – 1.6V)/Ri = 17mA；副邊電流限制 Ic’≤ CTR*If = 8.5mA，遠
大于副邊飽和導通需要的電流(2.9mA)，所以實際 Ic = 2.9mA。
所以，更改 Ri 后，Vout 輸出 3.3V 的方波。
開關狀態(tài)的光耦，實際計算時，一般將電路能正常工作需要的最大 Ic 與原邊能提供的最小 If 之間 Ic/If 的比值與光耦的 CTR 參數(shù)做比較，如果 Ic/If ≤CTR，說明光耦能可靠導通。一般會預留一點余量（建議小于 CTR 的 90%）。
工作在線性狀態(tài)令當別論。
CTR受哪些因素影響
上一節(jié)說到設計時要保證一定 CTR 余量。就是因為 CTR 的大小受眾多因素影響，這些因素之中既有導致 CTR 只離散的因素（不同光耦），又有與 CTR 有一致性的參數(shù)（殼溫/If）。
1)光耦本身：以 8701 為例，CTR 在 Ta=25℃/If=16mA 時，范圍是(15%~35%)
說明 8701 這個型號的光耦，不論何時/何地，任何批次里的一個樣品，只要在 Ta=25℃/If=16mA 這個條件下，CTR 是一個確定的值，都能確定在 15%~35%以內(nèi)。 計算導通時，要以下限進行計算，并且保證有余量。計算關斷時要以上限。
2)殼溫影響：
Ta=25℃條件下的 CTR 下限確定了，但往往產(chǎn)品里面溫度范圍比較大，比如光耦會工作在（-5~75℃）下，此種情況下 CTR 怎么確定？還是看 8701 的手冊：有 Ta-CTR 關系圖：
從圖中看出，以 25 度的為基準，在其他條件不變的情況下，-5 度下的 CTR 是 25 度下的 0.9 倍左右，75 度下最小與 25 度下的 CTR 持平。
所以在 16mA/(-5~75℃)條件下，8701 的 CTR 最小值是 15%*0.9 = 13.5%
3) 受 If 影響。
假設如果實際的 If 是 3.4mA，那么如何確定 CTR 在 If=3.4mA / Ta=(-5~75℃)條件下的最小 CTR 值。
查看 8701 的 If-CTR 曲線。圖中給出了三條曲線，代表抽取了三個樣品做測試得到的If-CTR 曲線，實際只需要一個樣品的曲線即可。
注：此圖容易理解為下限/典型/上限三個曲線，其實不然。大部分圖表曲線只是一個相對關系圖，不能圖中讀出絕對的參數(shù)值。
計算：選用最上面一條樣品曲線，由圖中查出，If=16mA 時 CTR 大概 28%，在 If=3.4mA時 CTR 大概在 46%。3.4mA 是 16mA 時的 46%/28% = 1.64 倍；
所以，在 If=3.4mA / (-5~75℃)，CTR 下限為 13.5% * 1.64 = 22.2%
以上所有分析都是基于 8701 的，其他光耦的特性曲線需要查用戶手冊，分析方法一樣。
光耦延時
上述 CTR 影響到信號能不能傳過去的問題，類似于直流特性。下面主要分析光耦的延時特性，即光耦能傳送多快信號。
涉 及到 兩個參 數(shù)： 光耦導通延時 t plh 和 光耦關斷 延時 t phl ，以 8701 為例 ：在If=16mA/Ic=2mA 時候，關斷延時最大 0.8uS，導通延時最大 1.2uS。所以用 8701 傳遞 500k以上的開關信號就需要不能滿足。
下圖是一個實測的延時波形（ch4 原邊（紅），ch2 副邊（綠））
對于 t p 參數(shù)的設計更應該考慮余量，因為 t p 參數(shù)也受其他因素影響較多。
1) 受溫度影響
8701 的 Ta-If 特征曲線：溫度升高，開關延時都會增大。
2) 受原邊 If 大小影響
8701 的 tp-If 特征曲線：If 增大，關斷延時減小，開通延時增大
3) 受副邊 Ic 大小影響
8701 的 tp-R L 特征曲線：R L 減小，導通延時增大明顯
針對具體電路的特點，計算最大延時時也是采用與 CTR 一樣的方法，通過器件資料給定特定環(huán)境下的準確范圍，然后逐一通過三個曲線確定具體電路下的光耦最大延時。
注
同一個型號的光耦 CTR/延時特性是一致的，不同光耦的延時特性不盡相同，所以需要根據(jù)所用光耦的用戶手冊來確定。
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