如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結(jié)構上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的，也被稱為“寄生二極管”或“內(nèi)部二極管”。對于MOSFET來說，體二極管的性能是重要的參數(shù)之一，在應用中使用時，其性能發(fā)揮著至關重要的作用。
SiC-MOSFET體二極管的正向特性
下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準向漏極施加負電壓，體二極管為正向偏置狀態(tài)。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體二極管的Vf特性，。Vgs為0V即MOSFET在關斷狀態(tài)下，沒有通道電流，因此該條件下的Vd-Id特性可以說是體二極管的Vf-If特性。如“何謂碳化硅”中提到的，SiC的帶隙更寬，Vf比Si-MOSFET大得多。
而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導通的條件下，電阻更小的通道部分（而非體二極管部分）流過的電流占支配低位。為方便從結(jié)構角度理解各種狀態(tài)，下面還給出了MOSFET的截面圖。
SiC-MOSFET體二極管的反向恢復特性
MOSFET體二極管的另一個重要特性是反向恢復時間（trr）。trr是二極管開關特性相關的重要參數(shù)這一點在SiC肖特基勢壘二極管一文中也已說明過。不言而喻，MOSFET的體二極管是具有pn結(jié)的二極管，因而存在反向恢復現(xiàn)象，其特性表現(xiàn)為反向恢復時間（trr）。下面是1000V耐壓的Si-MOSFET和SiC-MOSFET SCT2080KE的trr特性比較。
如圖所示，示例的Si-MOSFET的trr較慢，流過較大的Irr。而SiC-MOSFET SCT2080KE的體二極管速度則非常快。trr、Irr均為幾乎可忽略的水平，恢復損耗Err已經(jīng)大幅降低。
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