場(chǎng)效應(yīng)管飽和區(qū)解析
一、場(chǎng)效應(yīng)管飽和區(qū)概述
場(chǎng)效應(yīng)管飽和區(qū)在場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性曲線(xiàn)中有著關(guān)鍵地位。當(dāng)漏源電壓（U_{DS}）處于較大值時(shí)，漏極電流（I_D）不再顯著依賴(lài)于 U_{DS} 的增加，此時(shí)對(duì)應(yīng)的部分即為場(chǎng)效應(yīng)管飽和區(qū)，因特性曲線(xiàn)近乎水平，所以也被稱(chēng)為 “恒流區(qū)”，主要反映場(chǎng)效應(yīng)管預(yù)夾斷后 I_D 與 U_{DS} 的關(guān)系。
二、MOS 管飽和區(qū)工作條件
閾值電壓
MOS 管進(jìn)入飽和區(qū)的前提是柵極電壓要超過(guò)閾值電壓，這是 MOS 管的核心參數(shù)之一，對(duì)管子的工作狀態(tài)起決定性作用。
漏極電壓
在飽和區(qū)工作狀態(tài)下，漏極電壓維持在較低水平且變化范圍小。原因在于飽和區(qū)時(shí) MOS 管導(dǎo)通電阻低，進(jìn)而使漏極電壓相對(duì)較小。
飽和電壓
MOS 管飽和區(qū)與導(dǎo)通區(qū)之間存在臨界電壓，即飽和電壓。
恒流區(qū)
當(dāng) V_{GS} 一定，且 V_{DS} 大于 V_{GS} - V_{TH}（V_{TH} 代表開(kāi)通閾值電壓）時(shí)，漏極電流 I_D 保持恒定，不隨 V_{DS} 增大而變化，此現(xiàn)象即為飽和。
三、場(chǎng)效應(yīng)管飽和區(qū)的電壓與電流條件
電壓條件
飽和區(qū)時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管的柵極 - 源極電壓（V_{GS}）應(yīng)小于或等于臨界電壓（V_{TH}），同時(shí)柵極 - 漏極電壓（V_{DS}）需大于或等于零。這樣的電壓條件有助于場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通狀態(tài)的穩(wěn)定，實(shí)現(xiàn)飽和區(qū)工作。
電流條件
在飽和區(qū)，場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流（I_{DS}）應(yīng)大于或等于飽和電流（I_{DSAT}），而柵極 - 源極電流（I_{GS}）要小于或等于零。滿(mǎn)足這些電流條件，能夠確保場(chǎng)效應(yīng)管在飽和區(qū)工作時(shí)的穩(wěn)定與可靠。
四、MOSFET 飽和條件及狀態(tài)
飽和條件
當(dāng) D 極與 S 極處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，滿(mǎn)足以下條件 MOSFET 達(dá)到飽和狀態(tài)：
V_{GS} ≥ V_t；
V_{DS} ≥ V_{GS} - V_t。
僅滿(mǎn)足第一個(gè)條件而未滿(mǎn)足第二個(gè)條件時(shí)，MOSFET 處于未飽和狀態(tài)。
未飽和狀態(tài)
若電路未同時(shí)滿(mǎn)足上述兩個(gè)條件，則 MOSFET 處于未飽和狀態(tài)，此時(shí)其工作特性與飽和狀態(tài)存在明顯差異。
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