典型的反激式開關(guān)電源
一、電路組成與作用
RCD尖峰吸收電路由電阻（R）、電容（C）和二極管（D）組成。
MOS管的耐壓值有限，若不對尖峰電壓加以限制，極易導(dǎo)致MOS管擊穿損壞。RCD電路的核心作用主要有以下三點(diǎn)：
MOS管的耐壓值有限，若不對尖峰電壓加以限制，極易導(dǎo)致MOS管擊穿損壞。RCD電路的核心作用主要有以下三點(diǎn)：
將尖峰電壓嚴(yán)格控制在MOS管的擊穿電壓以內(nèi)，防止其因過壓而損壞。
在抑制尖峰電壓的同時(shí)，不能過度損耗方向感應(yīng)電動勢的能量，因?yàn)樵撾妱觿菰陔娐分腥孕枵Ｗ龉σ跃S持電路運(yùn)行。
根據(jù)電路實(shí)際需求選取合適的RC值，以確保既能有效吸收尖峰電壓，又不影響電路的正常能量傳遞與轉(zhuǎn)換。
二、電路工作原理
當(dāng)MOS管導(dǎo)通時(shí)，變壓器處于正激狀態(tài)，此時(shí)RCD電路中的二極管D反向截止，不影響電路的正常能量傳輸路徑。
當(dāng)MOS管截止時(shí)，變壓器產(chǎn)生反向感應(yīng)電壓，此時(shí)二極管D導(dǎo)通，尖峰電壓為電容C充電。這一充電過程能夠有效拉低尖峰電壓的峰值，降低對MOS管的電壓沖擊風(fēng)險(xiǎn)。
待尖峰電壓過去后，電容C通過電阻R放電，使電容恢復(fù)初始狀態(tài)，為下一次尖峰電壓的到來做好準(zhǔn)備，實(shí)現(xiàn)循環(huán)吸收尖峰電壓的功能。
三、電路實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證及效果對比
以一個(gè)具體電路為例：使用12V直流電為變壓器初級繞組供電，由MOS管Q1控制初級繞組的通斷。穩(wěn)壓管D3和R3用于保護(hù)MOS管，當(dāng)出入端出現(xiàn)大電壓時(shí)，穩(wěn)壓管發(fā)生齊納擊穿，迅速將能量傳遞到GND，從而避免MOS管被擊穿。變壓器次級繞組通過D2進(jìn)行半波整流后，再經(jīng)C2濾波，R2和LED作為輸出負(fù)載，用于指示工作狀態(tài)。
在未接入RCD尖峰吸收電路時(shí)，MOS管截止瞬間，變壓器產(chǎn)生的反向電動勢可使反向電壓達(dá)到-100.6V，遠(yuǎn)超MOS管的安全耐壓范圍，存在極大損壞風(fēng)險(xiǎn)。而接入RCD尖峰吸收電路后，反向電動勢的峰值被有效抑制，僅降至-76V左右，大幅降低了MOS管的電壓應(yīng)力，保障其穩(wěn)定可靠運(yùn)行。
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